1、所提设计方法也适用于通常的多谐振荡器的制作。
2、对两种非对称式TTL与非门多谐振荡器进行了分析,提出了两种间接测量TTL与非门参量的方法,并对它们的可行性进行了实验验证。
3、这是一个典型的不稳多谐振荡器电路。
4、现有的关于磁耦合多谐振荡器的不少文献,是用磁饱和现象来说明问题的。
5、由于采用两级多谐振荡器,一级作为调制波发生器,一级作为输出脉冲发生器。
1、所提设计方法也适用于通常的多谐振荡器的制作。
2、对两种非对称式TTL与非门多谐振荡器进行了分析,提出了两种间接测量TTL与非门参量的方法,并对它们的可行性进行了实验验证。
3、这是一个典型的不稳多谐振荡器电路。
4、现有的关于磁耦合多谐振荡器的不少文献,是用磁饱和现象来说明问题的。
5、由于采用两级多谐振荡器,一级作为调制波发生器,一级作为输出脉冲发生器。