1、沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征。

2、全区的护田林带已达200多公里,许多侵蚀剧烈的沟道、河川被沙棘固定。

3、其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

4、由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。

5、传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。

6、第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。

7、模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。

8、特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。

9、文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法，讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。

10、MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。

11、介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。

12、它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。

13、通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。

14、由于这种连接可能出现较大的泄漏沟道，故可用密封剂、密封胶带或填料来堵塞这些沟道。

15、m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

16、藉由本发明可以在维持元件密度的情况下制作较宽的字线，避免短沟道效应，提升元件的效能。

17、村周围成千上万的沟道、石堰,为收藏石头提供了绝佳的天然场所。

18、经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。

19、由于这种连接可能出现较大的泄漏沟道，故可用密封剂、密封胶带或填料来堵塞这些沟道。

20、带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。

21、高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

22、最后，模拟研究了“双沟道”MESFET结构，并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。

23、本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。

24、阐述了土谷坊的设计原则、施工方法及其在沟道治理工程中的应用.

25、高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

26、为了减小小尺寸MOS器件的短沟道效应，采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。

27、实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致，晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。

28、泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。

29、提出了近北远南、截流沟道、河滩漫流、排口分级管理的新观点。

30、本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。

31、介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。

32、骨干坝的布局应遵循三均衡原则,即单坝区间控制面积基本均衡,对干支沟的沟道控制基本均衡,单坝淤地面积与区间控制面积的比值基本均衡。

33、沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。

34、当时,毛主席住在白育才家的五孔窑洞里,沟道对面是红军总部机关驻地,博古等人居住在此,相邻的同一排窑洞设有警卫排、伙房、机要室、电台部等。

35、辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。

36、特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。

37、产品型号稳定是加工水泵、纺织轴承沟道、滚道之最佳选择。

38、由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。

39、对于0.18m及0.18m以下的器件而言最大的挑战之一就是如何减少短沟道效应，解决这一挑战的方法是使用超浅结工艺。

40、m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。

41、绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。